特徴
はんだ付け温度でレーザー出力を設定
STAR GATEではレーザーはんだ付けプロセスを「実際の加 工 温 度 」で 制 御 可 能 に し ま し た 。
使 用 者 が レ ー ザ ー 出 力 を 考 慮 す る 必 要 が な く 、現 在 温 度 か ら 設定した目標温度に合わせてレーザー出力を自動制御します。
※従来通りのレーザー出力設定機能も搭載
放射温度計がレーザー光と同軸
レーザー光と同軸上に は ん だ 付 け 温 度 測 定 用 の 放 射 温 度 計 を 設 置 し ました。(サンプリング 周期 0.0001sec) レーザー光と同軸上に 組み込まれているため、 レーザー光を照射して いる正確な位置を測定 します。
赤外とブルー 選べる波長
925nm/80Wの赤外波長、450nm/20Wまたは50Wの ブルー波長をラインナップ。
ブルーレーザーは金や銅などの光沢金属への光の吸収率が 近赤外のレーザー光と比べて高いため、低出力でのレーザー 加工が可能です。レーザー光の反射光も少なくなり、周囲へ のレーザー光の反射によるダメージを抑える事ができます。
極小の 105μm ファイバー
105μmファイバーを採用する事で、最小集光ビーム径φ18μ m~を実現しました。
微細な部品、狭ピッチで隣接する部品などの接合に最適な ビーム径を選択できます。
はんだ付け温度・レーザー出力の見える化
PCソフト上に制御状態を表示します。
実際の制御出力結果、温度結果を確認することができます。
仕様
種別 | 半導体レーザー | ||
---|---|---|---|
発振 | CW(連続発振) | ||
波長 | 450nm | ||
定格出力 | 20 or 50W | ||
ファイバーコア径 | 105 or 200μm | ||
パイロットレーザー | 520nm(±15nm) | ||
ハレーション防止 | 有り | ||
LD 冷却方式 | ペルチェによる電子冷却 | ||
同軸カメラモニタリング機能 | 有り | ||
同軸放射温度計機能 | 有り | ||
ファイバー長 | 3M or 5M | ||
集光ビーム径 | φ18μm~φ2100μm φ33μm~φ4000μm |
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温度制御機能 | 上限リミットタイプ 無し 完全温度波形タイプ 有り(内部一体型) |
||
放射温度計 | 放射温度計位置 レーザー光と同軸 測定サイズ φ250μm 測定温度範囲 140°C~700°C 応答速度 0.0001sec |
||
登録波形数 | 32 | ||
外部インターフェース | RS232C+GPIO | ||
外形寸法(W×D×H) | 【温度モニター付き同軸レーザーヘッド】 185(W)×58(D)×279.5(H()突起物除く) 【高出力ファイバ結合型半導体レーザー光源 ● 925nm 80Wタイプ 448mm(W)×504mm(D)×132mm(H) ● 450nm 50W タイプ 448mm(W)×584mm(D)×175mm(H) |
||
質量 | 【温度モニター付き同軸レーザーヘッド】 約2.5kg 【高出力ファイバ結合型半導体レーザー光源】 ● 925nm 80Wタイプ 約20kg ● 450nm 50W タイプ 約23kg |
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電源 | ● 925nm 80Wタイプ AC100-120V /AC200-240V 50/60Hz ● 450nm 50W タイプ AC100-120V/AC200-240V 50/60Hz (電圧切替式) |
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消費電力 | 1.5kVA以下 | ||
※上記仕様は改良のため予告なく変更となる場合があります。 |
参考動画
仕様比較
型 式 | STAR GATE | STAR GATE BLUE | |
---|---|---|---|
種別 | 半導体レーザー | ||
発振 | CW(連続発振) | ||
波長 | 925nm | 450nm | |
定格出力 | 80W | 20 or 50W | |
パイロットレーザー | 520nm(±15nm) | ||
ハレーション防止 | 有り | ||
LD 冷却方式 | ペルチェによる電子冷却 | ||
同軸カメラモニタリング機能 | 有り | ||
同軸放射温度計機能 | 有り | ||
ファイバー長 | 3M or 5M | ||
ファイバー長 | 3M or 5M | ||
集光ビーム径長 | φ18μm~φ2100μm φ33μm~φ4000μm |
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温度制御機能 | 上限リミットタイプ | 無し | |
完全温度波形タイプ | 有り(内部一体型) | ||
放射温度計 | 放射温度計位置 | レーザー光と同軸 | |
測定サイズ | φ250μm | ||
測定温度範囲 | 140°C~700°C | ||
応答速度 | 0.0001sec | ||
登録波形数 | 32 | ||
外部インターフェース | RS232C + GPIO | ||
外形寸法(W×D×H) |
【温度モニター付き同軸レーザーヘッド】 185(W)×58(D)×279.5(H()突起物除く) 【高出力ファイバ結合型半導体レーザー光源】 ● 925nm 80Wタイプ 448mm(W)×504mm(D)×132mm(H) ● 450nm 50Wタイプ 448mm(W)×584mm(D)×175mm(H) |
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質量 |
【温度モニター付き同軸レーザーヘッド】 約2.5kg 【高出力ファイバ結合型半導体レーザー光源】 ● 925nm 80Wタイプ 約20kg ● 450nm 50Wタイプ 約23kg |
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電源 |
● 925nm 80Wタイプ AC100-120V /AC200-240V 50/60Hz ● 450nm 50Wタイプ AC100-120V/AC200-240V 50/60Hz (電圧切替式) |
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消費電力 | 1.5kVA以下 | ||
詳細を見る | 詳細を見る | ||
※上記仕様は改良のため予告なく変更となる場合があります。 |